公開日: 2026/07/29

ZnGa₂O₄ナノ粒子薄膜による放射線センシング[東京電機大学]

ワイドギャップ半導体のZnGa₂O₄をナノ粒子化し、薄膜成形が可能な技術です。
透明性・柔軟性のある薄膜のため、デバイスへの応用性が高く、ZnGa₂O₄の短波長紫外線からX線までを検出する特性により、リアルタイム放射線センシングへの応用が可能です。

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ZnGa₂O₄ナノ粒子薄膜による放射線センシング について

基本情報

研究者
東京電機大学 理工学部 教授 石井 聡
研究者情報
https://ra-data.dendai.ac.jp/tduhp/KgApp/k03/resid/S000431
特許情報
特願2026-092348
X線検出材料及びそれを用いたX線検出器、並びにX線検出材料の製造方法
関連論文1[ZnGa₂O₄ナノ粒子合成]
https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-022-08444-x
関連論文2[ZnGa₂O₄薄膜成形]
https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-024-12652-y
薄膜化ワイドギャップ半導体でリアルタイム放射線センシングを実現します。
ご興味をお持ちいただけましたら是非お問い合わせ下さい。
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